Samsung и Hynix продемонстрировали прототипы DDR4
Samsung и Hynix продемонстрировали прототипы DDR45.00 out of 50 based on 1 voters.
На прошлой неделе в ходе конференции ISSCC 2012, компании Samsung и Hynix представили инженерные прототипы модулей памяти DDR4, сообщает сайт TechEye. Однако, полноценное внедрение нового стандарта оперативной памяти можно ожидать не ранее 2014 года, но производство микросхем типа DDR4 начнётся уже в этом году, для этого компании стремятся освоить 20 нм техпроцесс.
Инженерный прототип модуля памяти Samsung построен на микросхемах, созданных по 30 нм технологии, эффективная частота работы которого составляет 2133 МГц при номинальном напряжении в 1.2 вольта. Hynix применяет микросхемы, созданные по 38 нм технологии, но предлагает память с эффективной частотой работы в 2400 МГц, работающую при напряжении 1.2 вольта.
Согласно планам JEDEC, оперативная память DDR4 в виде модулей объёмом 32 Гбайт с поддержкой ECC изначально будет внедряться в серверном сегменте, максимальная частота которого будет равняться 2400 МГц. Для настольных систем частота будет варьироваться от 2133 до 3200 МГц.
Поделиться
